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半導體/零組件

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率

2026-05-21 14:57:53
Vishay PAR®和TRANSZORB® TVS采用新的DFN6546A超薄封装实现3000 W功率耗散
些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计，并具有易于吸附焊锡的侧边焊盘，不仅节省空间，而且能够提供高达137 V的卓越钳位能力

2026-05-19 14:22:45
ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

2026-04-21 15:43:41
Littelfuse/C&K推出TDB系列超小型半间距表面贴装拨码开关
新型镀金、可清洗拨码开关可在空间受限的设计中实现高密度PCB布局。

2026-04-21 15:10:17
Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈
表面贴装器件采用坚固的纳米晶磁芯和过模塑成型加固结构，在恶劣的环境中具有可靠性能

2026-04-15 12:25:09
Bourns 扩展其业界领先的连接器模块产品组合推出 5A、6A 与 8A 新品
创新设计的连接器模块可满足更高功率传输需求，适用于能源充电、高效能能量传递，以及支持并联负载与多子系统应用。

2026-04-08 16:09:32
Diodes推出行业领先的 100V PowerDI®8080-5 封装 MOSFET，低 RDS（ON）助力实现 48V 汽车

2026-04-02 11:10:20
Molex 莫仕推出 145 GHz Cardinal 多端口高频同轴组件，为 AI 和 6G 测试树立新标杆
• 经过现场验证的 Cardinal 产品家族新增的多功能产品，支持最高频段，同时提供无与伦比的信号完整性和回波损耗性能 • 经过精心设计，可解决复杂测试环境中多信道信号路由的复杂性 • 支持高达 448 Gbps 的数据表征传输率，可验证下一代 AI 集群、5G/6G、卫星通信、毫米波雷达和太赫兹成像

2026-03-26 07:30:02
Bourns 最新 RF 射频电感器采用先进多层技术与单体结构设计实现高可靠度表现
四款全新多层片状电感系列专为射频应用优化设计，在精巧低外型封装中提供优异的高频性能

2026-03-04 14:23:27
Bourns 推出全新热跳线芯片系列以紧凑尺寸实现高效散热表现Bourns®
BTJ 系列热跳线芯片具备高热导率与绝缘特性，有助于保护系统组件并延长其使用寿命

2026-01-14 07:16:36

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