当前位置: CompoTech China > 新品报到 >
 

Nexperia推出1200 V SiC肖特基二极管,扩展宽禁带产品组合,赋能大功率基础设施

本文作者:Nexperia       点击: 2025-07-11 11:39
前言:
为高能耗AI服务器集群实现高效功率转换
2025年7月11日--Nexperia今日宣布,在其持续壮大的功率电子器件产品组合中新增两款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二极管。PSC20120J和PSC20120L专为满足工业应用中对超低功耗整流器的需求而设计,可在高能效能量转换场景中发挥关键作用。这类器件尤其适用于高功率人工智能(AI)服务器基础设施和电信设备电源及太阳能逆变器的应用。

 
新款肖特基二极管具备不受温度影响的容性开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。此外,其开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。这些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)结构带来更多优势,例如凭借高峰值正向电流(IFSM)展现出卓越的浪涌电流耐受能力。这一特性减少了对额外保护电路的需求,显著降低系统复杂度,使工程师能够在高压应用中以更小尺寸实现更高效率。 

PSC20120J采用真双引脚D2PAK R2P (TO-263-2)表面贴装(SMD)功率塑料封装,而PSC20120L则采用真双引脚TO247 R2P (TO-247-2)通孔功率塑料封装。这些热稳定封装可在高达175℃的工作温度下提升器件在高压应用中的可靠性。作为高品质半导体产品的成熟制造商,Nexperia凭借强大供应链支持的多种半导体技术赢得市场信赖,这进一步为设计者提供了保障。

欲了解有关Nexperia SiC肖特基二极管产品组合的更多信息,请访问:www.nexperia.cn/products/diodes/silicon-carbide-sic-schottky-diodes 

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。
 
Nexperia为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。