当前位置： CompoTech China > 技术应用（旧版） >

Vishay推出用于同步降压的业内首批通过AEC-Q101认证的双片不对称封装12V和20V MOSFET

本文作者：Vishay 点击： 2016-07-11 14:06

前言：

2016年7月11日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里，低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把两颗MOSFET封装在一个不对称封装里，尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低，较小的高边MOSFET开关速度更快，可替换性能较低的标准双片器件，而标准器件会限制大电流、高频率的同步降压设计使用最优的MOSFET组合。相比于使用分立器件，这两颗器件占用的电路板空间更少，能实现更小尺寸的PCB设计。

今天发布的器件可在+175℃高温下工作，能够满足信息娱乐系统、车载信息服务、导航和LED照明等汽车应用对耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很适合总线电压 8V的应用，通道2的低边MOSFET的最大导通电阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP适合电压较高的应用，最大导通电阻为3.7mΩ，稍高一些。两颗器件都进行了100%的栅极电阻和雪崩测试，符合RoHS，无卤素。

器件规格表：

产品编号		SQJ202EP		SQJ200EP
通道		1	2	1	2
V_DS (V)		12		20
R_DS(ON) (W) 最大值	@ V_GS = 10 V	0.0065	0.0033	0.0088	0.0037
R_DS(ON) (W) 最大值	@ V_GS = 4.5 V	0.0093	0.0045	0.0124	0.0050
Qg (nC)典型值	@ V_GS = 10 V	14.5	35.9	12	29
I_D(A)		20	60	20	60

SQJ200EP和SQJ202EP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

本月热点 HOME

栏目热点 HOME