当前位置： CompoTech China > 技术应用（旧版） >

Vishay的650V快速体二极管MOSFET可提高工业、通信和可再生能源应用中软开关的电压余量

本文作者：Vishay 点击： 2016-05-12 10:21

前言：

2016年5月12日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。

今天推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。

21A SiHx21N65EF有5种封装形式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有两种封装。这些MOSFET的导通电阻分别只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，栅极电荷也非常低，使得器件的传导损耗和开关损耗都极低，在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/Silver PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、外置式电动汽车(EV)充电桩等高功率、高性能开关应用，以及LED、高强度气体放电(HID)和荧光灯镇流器照明中起到节能的作用。

器件可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲，确保限值通过100% UIS测试。MOSFET符合RoHS，无卤素。

器件规格表：

编号	R_DS(ON)(mW) @ 10 V (最大值)	Q_g (nC) @ 10 V (典型值)	I_D (A) @ 25 °C	Qrr (mC) @ 25 °C (典型值)	封装
SiHA21N65EF	180	71	21	1.2	Thin-lead TO-220 FullPAK
SiHB21N65EF	180	71	21	1.2	D2PAK (TO-263)
SiHG21N65EF	180	71	21	1.2	TO-247AC
SiHH21N65EF	157	68	21	0.9	PowerPAK^® 8x8
SiHP21N65EF	180	71	21	1.2	TO-220AB
SiHG28N65EF	102	97	28	1.1	TO-247AC
SiHP28N65EF	102	97	28	1.1	TO-220AB
SiHG33N65EF	95	114	33	1.18	TO-247AC

新的650V EF系列MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周到十八周。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

本月热点 HOME

栏目热点 HOME