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Vishay 推出的新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案，大幅提升了功率密度和效率

本文作者：Vishay 点击： 2016-02-17 15:08

前言：

这些器件节省空间，连续电流为30A和40A，采用4.5mm x 3.5mm和5mm x 5mm PowerPAK®封装，适用于移动计算平台

2016年2月17日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL稳压器。Vishay Siliconix 的这五款器件在热增强的4.5mm x 3.5mm PowerPAK® MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装内，组合了功率MOSFET、先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管，占位面积比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常适合使用Intel®的Skylake平台的计算平台。器件还适用于工业PC和用在网络和工业应用中的大电流多相模块。

现在的移动计算和桌面计算平台需要比前一代产品更大的电流，同时要求面积和尺寸要比以往更小。今天推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封装的集成器件可输出最高30A的连续电流，5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装的器件可输出40A连续电流。除了能输出大电流和节省占位面积，这些功率级还减小了封装寄生参数，使开关频率最高能达到2MHz，从而减小输出滤波器的尺寸，进一步缩小了整个方案的尺寸和高度。为提高性能，器件的高边和低边MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET®技术，来减少开关和传导损耗。功率级的驱动IC兼容众多PWM控制器，支持5V的三态PWM逻辑电平。

SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632适用于同步降压转换器、DC/DC电压稳压模块、CPU和GPU的多相VRD，以及存储器。为在这些应用里提高轻负载效率，器件的驱动IC带有二极管调制模式电路和零电流检测电路。自适应死区时间控制有助于在所有负载点下进一步提高效率。为支持IMVP8的PS4模式轻负载要求，当系统在待机模式下运转时，功率级会把电流降到5μA，而且可以在5μs内从这种状态中唤醒。器件符合RoHS，无卤素，具有欠压锁定 (UVLO)等保护功能。

器件规格表：

封装	产品编号	连续电流 (A)	最大电流 (A)	输入电压 (V)	PS4
PowerPAK^® MLP4535-22L (4.5 mm x 3.5 mm)	SiC530	30	40	4.5 ～ 18	Yes
	SiC531	25	35	4.5 ～ 24	No
	SiC532	25	35	4.5 ～ 24	Yes
PowerPAK MLP55-31L (5 mm x 5 mm)	SiC631	40	50	4.5 ～ 24	Yes
PowerPAK MLP55-31L (5 mm x 5 mm)	SiC632	40	50	4.5 ～ 24	No

功率级现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十周。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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