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Vishay IGBT功率模块在TIG焊机中提高效率并降低传导损耗

本文作者：Vishay 点击： 2016-01-24 13:45

前言：

这些半桥和单开关管器件采用Trench PT IGBT技术制造，具有低VCE(ON) 和Eoff，可用于大电流逆变级

2016年1月19日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。这四款器件采用Vishay的独家Trench PT IGBT 技术制造，集电极到发射极的电压极低，只有1.10V，关断开关能量低至11mJ，可用于输出逆变级。

今天发布的Vishay Semiconductors器件采用Trench PT IGBT结构，实现了比平面IGBT更小的尺寸，具有更高的电流密度和更低的热阻（结到外壳），在性能上丝毫没有缩水。器件的集电极到发射极的电压较低，能够实现极低的传导损耗，同时其关断开关能量比前一代器件低50%，可提高效率和长期可靠性。

半桥VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S把Trench PT IGBT与HEXFRED®和FRED Pt®防并联二极管组合在一起，采用高度极低的17mm INT-A-PAK封装和双片INT-A-PAK封装。单开关管VS-GP250SA60S采用SOT-227封装，典型杂散电感非常低，还不到5nH，通过UL file E78996的认证。

这些模块符合RoHS，工作频率为1kHz，集电极到发射极电压为600V，集电极连续电流为100A～400A。器件可以直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。

器件规格表：

产品编号	VS-GP100TS60SFPbF	VS-GP250SA60S	VS-GP300TD60S	VS-GP400TD60S
I_C	100 A	250 A	300 A	400 A
V_CE(ON)	1.16 V	1.10 V	1.30 V	1.30 V
封装	INT-A-PACK	SOT-227	DIAP, 低高度	DIAP, 低高度
E_off	15.3 mJ	11 mJ	33 mJ	45 mJ
电路	半桥	单开关管	半桥	半桥
IGBT	Trench PT	Trench PT	Trench PT	Trench PT
二极管	FRED Pt	无	HEXFRED	HEXFRED

新IGBT功率模块现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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