意法半导体(ST)最新的STM32 Dynamic Efficiency™ 微控制器为移动产品节省更多电能

本文作者:意法半导体(ST)       点击: 2014-08-04 08:30
前言:
STM32F411 动态效率系列微控制器提供创新的批量数据采集模式,通过永远开启的系统感测功能延长电池使用寿命
2014年8月1日--横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)最新的STM32 Dynamic Efficiency™ (动态效率)微控制器可以提高批量数据采集省电性能。批量数据采集技术还被谷歌最新的Android 4.4 (KitKat)操作系统采用,可最大限度提升电池使用寿命,现在意法半导体将这一技术优势扩展到智能手机和平板电脑以外的应用领域。
 
Android 4.4通过低功耗传感器集线器(sensor hub)管理永远开启(always-on)的传感器,例如加速度计或气压传感器,从而降低系统主处理器的电池耗电量。以高性能、低动态功耗、高集成度为亮点,意法半导体的STM32F411动态效率微控制器是最理想的传感器集线器解决方案。STM32F411的批量数据采集模式(BAM, Batch Acquisition Mode)省电量高达50%,当微控制器CPU内核处于睡眠状态时,该模式将传感器数据直接保存到SRAM。处理器内核短暂唤醒,处理存储的传感器数据,然后再返回省电模式。
 
作为一款在工业和消费电子市场应用广泛的通用微控制器,STM32F411为工业控制、医疗监控、楼宇自动化、穿戴式装置市场带来批量数据采集模式等创新的省电技术,包括新的闪存停止模式。该系列产品提供各种紧凑封装,最小封装为3.034mm x 3.22mm,可用于空间狭小的产品设计。
 
STM32F411搭载ARM® Cortex®-M4处理器内核,支持DSP指令集,集成浮点单元(FPU, Floating-Point Unit),闪存最大容量为512KB,SRAM最大容量为128KB。新的STM32动态效率系列利用意法半导体的ART Accelerator™ 分支缓存(branch cache) 、90纳米制造工艺和电压调整功能将动态功耗降至最低水平,同时提升了处理性能,STM32动态效率系列微控制器是业内首个从闪存执行EEMBC® CoreMark™代码取得100µA/MHz运行模式电流的M4产品(在外设关闭的情况下),同时最高工作频率可达到100MHz,处理性能达到125DMIPS。当SRAM内容和上下文全部保存时,停止模式电流很低,典型值仅为10µA。 
 
STM32F411提供-40°C-105°C的宽温度范围选择,最低电源电压降至1.7V,集成丰富的外设接口中,可用于环境恶劣的应用。片上外设接口包括1个12位16通道模数转换器(最高2.4Msample/s)、11个定时器(包含电机控制定时器和16位和32位通用定时器)和多功能通信接口。通信接口包括3个I2C端口(最高1Mbit/s)、3个 USART(最高12.5Mbit/s)、1个集成物理层的USB 2.0 OTG 全速接口、5个SPI端口(最高50Mbit/s,包含5个I2S音频接口)和1个SD/MMC接口。所有封装均内建这些功能,包括引脚最少的产品。
 
STM32F411是STM32F4高性能系列的入门级产品,现已量产,配套包括STM32Nucleo开源硬件平台和STM32Cube软件工具及嵌入式软件等开发生态系统。意法半导体将在2014年第四季度提供探索套件(Discovery Kit)。STM32F411CCY6内置256KB闪存和128KB SRAM,采用WLCSP49封装。

关于意法半导体
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意法半导体2013年净收入80.8 亿美元。详情请访问公司网站www.st.com