IDT公司发布具有超高线性度的全新内部匹配宽带RF可变增益射频放大器

本文作者:IDT公司       点击: 2014-11-18 08:18
前言:
IDT F0480可简化射频可变增益放大器功能设计,同时使设计实现更加可靠
2014年11月17日--IDT公司(IDT®)(NASDAQ:IDTI)今天宣布推出一款内部匹配400到2700 MHz宽带射频(RF)可变增益放大器(VGA)F0480,旨在简化设计流程,同时确保更可靠的设计实现。该器件通过将IDT公司独特的Glitch-FreeTM(无毛刺)数字步进衰减器与Zero-DistortionTM(零失真)技术结合在一起,以一个紧凑的5x5mm封装可提供卓越的RF性能。  

 

 



F0480芯片具有更好的抗潮湿敏感度和防静电放电(ESD)能力,因此与砷化镓(GaAs)器件相比是一种更强大和更可靠的技术,因为砷化镓器件需要外部匹配,而且可能受损于延迟的二次雪崩。F0480芯片非常适用于4G蜂窝基站、宽带中继器、分布式天线系统和微波回程设备等产品设计。
 
IDT公司无线产品定义与市场营销高级总监Chris Stephens介绍说:“F0480是利用这些创新技术设计实现的行业领先可变增益放大器,它具有41 dBm OIP3与13 dB的最大增益、23 dB的宽增益控制范围和1 dB的步进分辨率、以及4 dB的噪声系数(Noise Figure),所有这些高性能仅消耗100mA的电流。 在设计工程师进行设计并实现RF可变增益放大器时,F0480可提供独特的功能并帮助工程师满足严格的要求。非常低的小于500mW的功耗可减轻对散热管理的要求,而其内置的宽带匹配大大简化了系统集成。”
 
F0480具有2kV的ESD额定值和潮湿敏感度等级(MSL)为1的评级,而竞争的GaAs器件潮湿敏感度等级为3。该器件针对频率的平坦增益斜率可抵消电路板损耗。