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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻

本文作者：IR国际整流器公司点击： 2014-04-08 10:02

前言：

2014年4月8日--全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有极低的导通电阻 (RDS(on))。

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封装，导通电阻典型值只有500µΩ，可大幅降低传导损耗，因而非常适合动态ORing和电子保险丝 (eFuse) 应用。新器件可使用3.3V、5V或12V的电源轨操作，在20A电流和同样的30 mm2尺寸的封装中，可比同类最佳PQFN器件降低15%的损耗，使设计人员能够在大电流应用内减少器件数量。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“StrongIRFET系列经过扩充后，能够满足市场对动态ORing和电子保险丝的高效开关的需求。全新IRL6283M在高性能封装内提供行业领先的导通电阻，从而实现无可比拟的功率密度。”

与DirectFET系列的其它器件一样，IRL6283M可提供有效增强电气性能和热性能的顶侧冷却功能，以及旨在提高可靠性的无键合线设计。此外，DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含铅的物料清单可适合长生命周期的设计。同类的高性能封装包含高铅裸片，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。

规格

器件编号	电压	最高 V_GS	封装	电流额定值	导通电阻 (典型/最高)			认证级别
器件编号	(V)	(V)	封装	(A)	10V	4.5V	2.5V	认证级别
IRL6283M	20	12	DirectFET MD	211	.50/.75	.65/.87	1.1/1.5	工业
IRFH8201	25	20	PQFN 5x6B	100*	.80/.95	1.20/1.60	不适用
IRFH8202	25				.90/1.05	1.40/1.85
IRFH8303	30				.90/1.10	1.30/1.70
IRFH8307					1.1/1.3	1.7/2.1
IRF8301M			DirectFET MT	192	1.3/1.5	1.9/2.4

IR的StrongIRFET系列同时提供采用了行业标准占位面积的PQFN封装器件和不含铅的环保封装，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品现正接受批量订单。更多信息和Spice模型请浏览IR的网站http://www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。

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