德州仪器面向大电流电机控制及电源设计推出 40V 至 100V NexFET™ MOSFET

本文作者:德州仪器       点击: 2014-03-25 17:16
前言:
最新中压功率 MOSFET 采用 TO-220 封装包括最低导通电阻 80V 及 100V 器件
2014年3月24 日--德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 输入电压,进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件,可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。如欲订购样片或查看全部产品列表,敬请访问:www.ti.com.cn/mvnexfet-pr-cn

最低导通电阻
两款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影响高栅极电荷的情况下,通过 TO-220 封装实现业界最低导通电阻,从而可在更大电流下为设计人员提供更高的电源转换效率。CSD19506 可在高达 80V 的输入电压下支持 2.0 毫欧姆的导通电阻,而 CSD19536 则可在 100V 输入电压下支持 2.3 毫欧姆的导通电阻。这两款产品都采用支持高雪崩性能的塑料封装,支持高应力电机控制应用。此外,设计人员还可通过访问 TI 获奖的 WEBENCH® 在线设计工具便捷选择最新产品,模拟电源设计。

简单易用的评估板
TI 还基于 60V NexFET 产品推出了几款简单易用的评估板,都可通过 TI eStore™ 订购:
步进电机前置驱动器:DRV8711EVM 评估板基于 DRV8711 步进电机控制器,与 NexFET 器件搭配,可驱动一个大电流双极步进电机或两个有刷 DC 电机;
电机驱动 BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301 套件是基于 DRV8301 前置驱动器的 10A 三相位无刷 DC 驱动级,适用于学习无传感器无刷控制技术以及驱动级设计的人员;
数字电源:UCD3138PSFBEVM-027 可帮助电源开发人员设计数控移相离线 12V、360W 电源转换器应用;
负载点控制:TPS40170EVM-597 评估板支持 TI 具有 2 个 NexFET 器件的 TPS40170 同步降压控制器。

关于 NexFET 功率 MOSFET
TI NexFET 功率 MOSFET 技术可提升高功率计算、网络、工业以及电源的能源效率。这些高频率、高效率模拟功率 MOSFET 可为系统设计人员提供现已上市的最高级 DC/DC 电源转换解决方案。
 
 
供货情况
CSD19506KCS 与 CSD19536KCSN 通道器件现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商全球网络进行订购。每款产品都采用 3 引脚标准 TO-220 封装。此外,TI 还提供采用无引线 5 毫米 × 6 毫米 SON 封装的 40V、60V、80V 以及 100V FET。

了解有关 TI NexFET 与电机控制解决方案的更多详情:
80V 及 100V NexFET 解决方案的视频概览;
下载最新电机控制解决方案指南;
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TI 工业设计模拟产品
TI 种类繁多的电源管理及模拟信号链产品可为设计工程师创建创新型差异化消费类电子产品提供所需的高性能、低功耗以及高集成度。TI 正通过手势识别、触摸反馈、高级电池充电、音频以及健康技术等构建美好未来。欢迎了解 TI 模拟产品如何通过 TI 工业模拟解决方案改善我们的生活、工作和娱乐。

关于德州仪器公司
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