事件
据Dataquest最新报告，2003全球第三季DRAM前5大厂排名维持不变，直得注意的是：龙头三星市占率明显下滑，各较前一季以及2002年同期减少3.6﹪和8.6﹪。美光（Micron）市占率仍维持18%~19%之间；而英飞凌（Infineon）则较前一季上升1.4个百分点，达到16.6%，紧追美光不放，两者仅差不到两个百分点，Hynix与南亚科技则分别维持14%与4.5%的市占率，总计前5大厂占有81.6％的市场。
虽然三星市占率下滑，但是以成长率来看：第三季三星DRAM销售额达13.28亿美元，较前一季成长15.13％，较前一年同期成长2.6%，其中以英飞凌成长最高，较前一季成长42.5％，较前一年同期成长144%，可说是进步最多的公司。
评析
就这排名的情形，以三星与英飞凌的策略直得探讨。
先就三星来说，单就第三季DRAM市场排名统计而言，三星似乎势力消退，然就三星整个内存芯片事业的销售数字来看，三星却丝毫不吃亏。三星第三季财报显示，因转移部份DRAM产能至Flash，其内存事业营收不仅未呈现消退，反较第二季增加了39.7％。三星DRAM势力固然呈现衰退，但实际上，三星将DRAM产能转为生产闪存（Flash）的策略，却使其一点也不吃亏。
原本在闪存独占鳌头的Intel，在2003年第三季出现戏剧性的变化，长久以来始终是全球最大供货商的Intel让出龙头宝座，南韩三星电子继而代之。主因是数字相机、手机、随身碟及其它可携式数字产品大卖，导致外接式Flash卡销售暴增，以营收来看，三星及东芝（Toshiba）都受到闪存产品加持，分别排名全球前2大；排名第三的是AMD及富士通（Fujitsu）合资的FASL；Intel滑落至第四；前五大业者市场集中度达75％。该季全球Flash市场规模为31亿美元，较前一季的24亿美元成长27％。
这也说明三星在内存上场的策略转变，由于DRAM产品需求趋缓，业者甚至以穷兵黩武之姿来扩充产能，造成DRAM产业供给过剩，造成大家获利下滑甚至亏损；而另一方面拜消费性电子产品之赐，使得快闪记体市场需求畅旺，三星近来不断大幅度将旗下晶圆厂产能，移转至生产利润较丰厚的NAND型Flash上，以创造出的可观的利润。此外，也可调整DRAM的产能供给，避免过剩的情况发生，可说是创造双赢。
闪存「崛起」相当快速，特别是近年来，行动电话、数字相机、大姆哥等产品带动整个闪存需求，2002~2007年复合成长率（CAGR）是DRAM市场的两倍，无怪乎DRAM厂商在选择投入制程转换容易的NAND Flash市场。
近来力晶半导体将与将与日商瑞萨科技（Renesas）进行NAND Flash代工，力晶将以12吋厂产能为中心，与瑞萨（RENESAS）合作生产1Gb的AG-AND规格Flash。未来力晶营运3大主轴，将为DRAM、Flash与晶圆代工。希望藉此摆脱DRAM的杀戮战场，其它DRAM业者也纷纷生产行动电话所需的Mobile RAM，加速产品的多元化避免单一产品易受景气波动影响。
英飞凌的DRAM市占率与去年同期比较几乎是两倍的成长，这当中虽然有茂德事件，但却不影响英飞凌在DRAM市场的布局。其中关键的因素在于充分的利用外界资源，将部分产能外包给南亚科技、华邦，甚至将高阶DRAM制程技术转移给中芯半导体并为之代工，这使得英飞凌无须背负晶圆厂的重担，甚至可以调节产能，当然还有一项重要因素是，英飞凌的十二吋DRAM量产，使得其生产产量较八吋厂提高三成。
同时英飞凌公布的2003会计年度第四季（7~9月）财报中，终于摆脱其连续九季的亏损，首度单季出现获利，获利为49百万欧元，每股获利0.07欧元，其宣称获利的主因在于有效撙节成本及内存价格走强。该季英飞凌四个事业部中，只剩有线网络芯片事业部仍然亏损，其余工业及车用芯片、无线装置用芯片及内存事业部均有获利。而DRAM销售占该季英飞凌营收为44％，并已在前一季获利。笔者认为除了其宣称的撙节成本、产能外移之外，景气的复苏也是促使其获利的重要因素。
据Dataquest最新报告，2003全球第三季DRAM前5大厂排名维持不变，直得注意的是：龙头三星市占率明显下滑，各较前一季以及2002年同期减少3.6﹪和8.6﹪。美光（Micron）市占率仍维持18%~19%之间；而英飞凌（Infineon）则较前一季上升1.4个百分点，达到16.6%，紧追美光不放，两者仅差不到两个百分点，Hynix与南亚科技则分别维持14%与4.5%的市占率，总计前5大厂占有81.6％的市场。
虽然三星市占率下滑，但是以成长率来看：第三季三星DRAM销售额达13.28亿美元，较前一季成长15.13％，较前一年同期成长2.6%，其中以英飞凌成长最高，较前一季成长42.5％，较前一年同期成长144%，可说是进步最多的公司。
评析
就这排名的情形，以三星与英飞凌的策略直得探讨。
先就三星来说，单就第三季DRAM市场排名统计而言，三星似乎势力消退，然就三星整个内存芯片事业的销售数字来看，三星却丝毫不吃亏。三星第三季财报显示，因转移部份DRAM产能至Flash，其内存事业营收不仅未呈现消退，反较第二季增加了39.7％。三星DRAM势力固然呈现衰退，但实际上，三星将DRAM产能转为生产闪存（Flash）的策略，却使其一点也不吃亏。
原本在闪存独占鳌头的Intel，在2003年第三季出现戏剧性的变化，长久以来始终是全球最大供货商的Intel让出龙头宝座，南韩三星电子继而代之。主因是数字相机、手机、随身碟及其它可携式数字产品大卖，导致外接式Flash卡销售暴增，以营收来看，三星及东芝（Toshiba）都受到闪存产品加持，分别排名全球前2大；排名第三的是AMD及富士通（Fujitsu）合资的FASL；Intel滑落至第四；前五大业者市场集中度达75％。该季全球Flash市场规模为31亿美元，较前一季的24亿美元成长27％。
这也说明三星在内存上场的策略转变，由于DRAM产品需求趋缓，业者甚至以穷兵黩武之姿来扩充产能，造成DRAM产业供给过剩，造成大家获利下滑甚至亏损；而另一方面拜消费性电子产品之赐，使得快闪记体市场需求畅旺，三星近来不断大幅度将旗下晶圆厂产能，移转至生产利润较丰厚的NAND型Flash上，以创造出的可观的利润。此外，也可调整DRAM的产能供给，避免过剩的情况发生，可说是创造双赢。
闪存「崛起」相当快速，特别是近年来，行动电话、数字相机、大姆哥等产品带动整个闪存需求，2002~2007年复合成长率（CAGR）是DRAM市场的两倍，无怪乎DRAM厂商在选择投入制程转换容易的NAND Flash市场。
近来力晶半导体将与将与日商瑞萨科技（Renesas）进行NAND Flash代工，力晶将以12吋厂产能为中心，与瑞萨（RENESAS）合作生产1Gb的AG-AND规格Flash。未来力晶营运3大主轴，将为DRAM、Flash与晶圆代工。希望藉此摆脱DRAM的杀戮战场，其它DRAM业者也纷纷生产行动电话所需的Mobile RAM，加速产品的多元化避免单一产品易受景气波动影响。
英飞凌的DRAM市占率与去年同期比较几乎是两倍的成长，这当中虽然有茂德事件，但却不影响英飞凌在DRAM市场的布局。其中关键的因素在于充分的利用外界资源，将部分产能外包给南亚科技、华邦，甚至将高阶DRAM制程技术转移给中芯半导体并为之代工，这使得英飞凌无须背负晶圆厂的重担，甚至可以调节产能，当然还有一项重要因素是，英飞凌的十二吋DRAM量产，使得其生产产量较八吋厂提高三成。
同时英飞凌公布的2003会计年度第四季（7~9月）财报中，终于摆脱其连续九季的亏损，首度单季出现获利，获利为49百万欧元，每股获利0.07欧元，其宣称获利的主因在于有效撙节成本及内存价格走强。该季英飞凌四个事业部中，只剩有线网络芯片事业部仍然亏损，其余工业及车用芯片、无线装置用芯片及内存事业部均有获利。而DRAM销售占该季英飞凌营收为44％，并已在前一季获利。笔者认为除了其宣称的撙节成本、产能外移之外，景气的复苏也是促使其获利的重要因素。
