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德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET可实现业界最低电阻

本文作者：德州仪器 (TI) 点击： 2015-01-22 11:53

前言：

采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件

2015年1月22日--日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。此外，TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计，敬请访问：www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。

CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率，同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻，而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计，来进一步进行了解。

TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用，从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720等TI热插拔控制器配套使用。阅读《稳健可靠的热插拔设计》，可进一步了解如何将一个晶体管选用为传输元件，以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。

如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE。

新型 NexFET 产品及主要特点

器件型号	应用	Vds/Vgs	封装 (mm)	导通电阻最大值 (mΩ)		Qg (4.5) (nC)
器件型号	应用	Vds/Vgs	封装 (mm)	4.5V	10V	Qg (4.5) (nC)
CSD16570Q5B	ORing / 热插拔	25/20	QFN 5x6 (Q5B)	0.82	0.59	95
CSD17570Q5B	ORing / 热插拔	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	0.92	0.69	93
CSD17573Q5B	低端降压 / ORing / 热插拔	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	1.45	1.0	49
CSD17575Q3	低端降压	30/20	QFN 3.3x3.3 (Q3)	3.2	2.3	23
CSD17576Q5B	低端降压	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	2.9	2.0	25
CSD17577Q5A	高端降压	30/20	QFN 5x6 (Q5A)	5.8	4.2	13
CSD17577Q3A			QFN 3.3x3.3 (Q3A)	6.4	4.8	13
CSD17578Q3A				9.4	7.3	7.9
CSD17579Q3A				14.2	10.2	5.3
CSD85301Q2	双路独立 FET	20/10	QFN 2x2 (Q2)	27	不适用	4.2
CSD13383F4	负载开关	12/10	FemtoFET 0.6x1.0 (0402)	44	不适用	2.0

供货情况、封装和价格
目前，FemtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 产品可通过 TI 及其授权分销商批量采购。

关于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET
TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的最先进的DC/DC电源转换解决方案。

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