安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出几款新型N型通道功率，MOSFET，进一步拓展其开关和电源管理应用的低电压功率MOSFET产品系列。这些24/25伏器件是专门针对服务器和台式电脑中的同步降压转换电路（VRM和VRD）以及网络和电信设备中的负载点（POL）转换器而设计的。
新型N型通道开关器件采用了安森美半导体最新的专有平面工艺技术，具有业界最佳的效益指数（导通电阻x栅极电荷或Rds(on) x QG），开关性能卓越——比上一代器件提升了40%。该公司出众的平面工艺技术并具有低导通电阻，能降低导通损耗；和优化的主体二极管，以减少电源损耗。这些器件的栅极电荷总数低达8.4纳库伦（nC），导通电阻低达3.7毫欧（mΩ），而额定栅极电压为20伏，具有更高的稳固性。
新型N型通道开关器件采用了安森美半导体最新的专有平面工艺技术，具有业界最佳的效益指数（导通电阻x栅极电荷或Rds(on) x QG），开关性能卓越——比上一代器件提升了40%。该公司出众的平面工艺技术并具有低导通电阻，能降低导通损耗；和优化的主体二极管，以减少电源损耗。这些器件的栅极电荷总数低达8.4纳库伦（nC），导通电阻低达3.7毫欧（mΩ），而额定栅极电压为20伏，具有更高的稳固性。
