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IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列具备极低导通电阻

本文作者：IR 点击： 2014-06-19 15:05

前言：

2014年6月19日--全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。

全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备双面散热功能，可提供最佳传热性能，提升功率密度。由于提供最佳的裸片对占位面积比，DirectFET可有效缩减电路板尺寸。新器件还具备0.7mm的超薄厚度，为受空间限制的高功率工业电源设计提供理想的解决方案。

与DirectFET系列的其它器件一样，全新的工业用大罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如提供完全不含铅的物料清单，因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类型的高性能封装则包含采用含铅的裸片贴装，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“DirectFET系列新增大罐式封装器件后，继续领先业界成为市场上最可靠、最高性能的MOSFET封装产品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面积比D2PAK等传统的大型塑料表面贴装功率封装显著减小，而且增加了上方散热性能，因而非常适合空间受限的长寿命工业电源设计。”

全新40V到150V大罐式封装器件符合第一级湿度敏感度业界标准 (MSL1)。

规格

器件编号	Vdss	10V下的最高导通电阻	Id (A)	Qg (nc)	品质级别
IRF7739L1TRPBF	40	1.0 mΩ	270	220	工业级
IRF7749L1TRPBF	60	1.5 mΩ	200	200	工业级
IRF7748L1TRPBF	60	2.2mΩ	138	148	工业级
IRF7759L2TRPBF	75	2.3mΩ	160	200	工业级
IRF7769L1TRPBF	100	3.5mΩ	124	200	工业级
IRF7779L2TRPBF	150	11mΩ	67	97	工业级

产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站http://www.irf.com。

IR简介

国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年，总部设在美国洛杉矶，在二十个国家设有办事处。IR 全球网站：www.irf.com，中国网站：www.irf.com.cn。

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