IR新一代HEXFET MOSFET具备快速本体二极管特性

本文作者:admin       点击: 2003-06-01 00:00
前言:
功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR),推出崭新600V HEXFET功率MOSFET系列,不仅具备快速本体二极管特性,并为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用提供高度效能。ZVS技术可针对现今对效率和可靠性有高度要求的高速、宽频电信及数据通讯系统,于交换式电源供应器电路中展现最高的运作效能、并提高功率输出。

最新L系列HEXFET MOSFET所具备的快速本体二极管特性,可省去于ZVS电路中额外建置萧特基(Schottky)及高压二极管的需要,进而减少组件数目与节省电路空间。

由于新一代L系列组件的内建本体二极管处于动作状态,可承载工作周期中若干部分的电流,有别于采用硬开关的桥式或功率因素修正电路,并大幅加强系统可靠性。若于内建本体二极管处于导电状态时启动MOSFET,实质上便可消除ZVS电源供应设计的导通损耗。
L系列组件的本体二极管之最大逆向恢复时间可低于250ns,在电流更低的组件中时间更短。随着逆向恢复周期的缩短,内建本体二极管可于操作关断过程中发挥效益,在引入高电压前先从传导状态完全恢复至阻断状态。
IR稳压器可配低成本陶瓷电容
IR推出固定输出型线性稳压器IRU1011-33,它不仅可提供低漏失电压,更可透过单一5V输入提供高达1.3A的连续电流,且能稳定配合低价值和低成本的陶瓷电容,让业者能以更低廉的成本开发各种体积更为精巧的产品。IRU1011-33这款新产品专为满足1.3A/sec或以下电流瞬变反应所设计,并提供2%准确度的起动电压,内建输出电流限制和内部温度过高自动关机的功能,它的线路噪声比使用钽质电容的电路更低,而这款产品可以适用于硬盘机、ADSL调制解调器及缆线调制解调器等装置所使用的电源管理应用。需详细资料请至IR网站:www.irf.com。

智森 明导 联电合作推出0.18微米Mixed-Mode/RF CMOS设计套件

致力提供完整RF解决方案之智森科技、联华电子与电子设计硬、软件供货商明导国际(Mentor Graphics)宣布,三方合作针对联电0.18微米射频(RF)与混合讯号制程技术领先推出一套完整的设计套件 (Foundry Design Kit)。透过三方的合作,智森所验证的射频组件数据库及人机界面,更加速明导之混合讯号SOC设计流程,增进产能并加速量产及上市时程。 
智森科技成功地应用明导国际所提供之芯片设计软件,延伸其功能性以及操作环境,搭配联电先进之CMOS技术,整合了智森本身所设计之射频(RF)组件,经由量测验证之完整且准确之组件数据库,尤以包含scalable组件模型及参数化布局能力,更加提高IC设计者设计弹性及产品良率。
目前此0.18um Mixed Mode/RF CMOS设计套件支持之功能包含图像化符号接口、双向响应功能、EldoTM仿真模型、制程定义档案、可程序化布局流程,和其它构成完整的设计环境所需的结构档案。经由Calibre DRC / LVS Calibre xRC LPE,在软件做布局验证,而为明导国际之IC Station量身开发之图像化设计环境下,对于射频与混和讯号SOC芯片,设计者可更为容易地在短时间内设计出最佳化之产品。