Ampleon面向粒子加速器推出62%效率的Gen9HV LDMOS晶体管而引领射频功率效率

本文作者:Ampleon       点击: 2018-09-26 08:19
前言:
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款750W的Gen9HV LDMOS RF功率晶体管BLF13H9L750P,专门设计用于工作在1.3GHz频谱的粒子加速器应用。该晶体管采用陶瓷4引脚SOT539形式并采用法兰螺栓固定封装(BLF13H9L750P)和法兰无耳封装(BLF13H9LS750P),可提供优于62%、据信是同类产品中最高的效率。凭借如此高的工作效率规格,该晶体管与其他固态竞争器件相比,将有助于实现显著的功耗节省。此外,与基于速调管和真空管放大器的老式设备相比,固态方法所需的维护会少很多,生命周期更长并且所需的物理空间更少,因此可进一步降低运营成本。
 
BLF13H9L(S)750P晶体管还具有市场领先的17dB增益。埃赋隆半导体Gen9HV 50V LDMOS工艺于2017年推出,可生产高度一致的晶体管,从而可确保客户在生产过程中保持高度的可复制性。
  
关于埃赋隆半导体(Ampleon): 
埃赋隆半导体创立于2015年,在射频功率领域拥有50年的领导地位,旨在发挥射频领域数据和能量传输的全部潜力。埃赋隆半导体在全球拥有超过1,350名员工,致力于为客户创造最佳价值。其创新而又一致的产品组合,可为诸如移动宽带基础设施、无线电和电视广播、CO2激光器和等离子体、核磁共振成像(MRI)、粒子加速器、雷达和空中交通管制、非蜂窝通信、射频烹饪和除霜、射频加热和等离子照明等广泛应用提供产品和解决方案。欲了解有关该射频功率领域全球领先合作伙伴的详细信息,请访问www.ampleon.com